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商品說明


創見1GB DDR2 Memory 200Pin SO-DIMM DDR2-800 Unbuffer Non-ECC Memory

產品型號:TS128MSQ64V8U

創見全系列DDR2-800記憶體模組皆遵從JEDEC(the Joint Electron Device Engineering Council)的規範,提供極致的效能表現。1.8伏特的低工作電壓可節省約50﹪的耗電量,採用先進的FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)封裝提供更佳的散熱性能和更好的電氣特性,並運用ODT(On-Die Termination)技術可降低高速運作下記憶體信號的回授,進而提高記憶體時脈的極限值。

創見DDR2高速記憶體模組通過Intel之PMO(Platform Memory Organization)認證。PMO測試主要著重於記憶體模組在Intel平台上的相容性與穩定度,其測試結果為Intel晶片組使用者在選購上的重要參考資料。創見秉持一貫之理念,提供消費者優質的服務、高品質的產品,毫無疑問的,創見DDR2記憶體模組在Intel系統上有著極為優越的表現。

暢銷品特色:

記憶體產品穩定耐用?高度相容性保證
100%嚴密測試
終身保固













商品規格


記憶體類型: DDR2 Memory
針腳及模組: 200Pin SO-DIMM
頻率: DDR2-800
功能: Unbuffer Non-ECC Memory
容量: 1GB
顆粒: 128Mx8 (bit) (單顆顆粒容量)比價
電壓: 1.8 V
CL值: 6

◎資料來源:創見

※商品圖檔顏色因電腦螢幕設定差異會略有不同,以實際商品顏色為準
※以上規格資料若有任何錯誤,以原廠所公佈資料為準。


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